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Infineon Technologies IPD30N06S223ATMA2
| Artikelnummer: | IPD30N06S223ATMA2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.40 |
| 10+ | $1.249 |
| 100+ | $0.974 |
| 500+ | $0.8046 |
| 1000+ | $0.6352 |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IPD30N06S223ATMA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD30N06S223ATMA2.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 21A, 10V Verlustleistung (max) 100W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 901 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) Grundproduktnummer IPD30N06 IPD30N06S223ATMA2 Einzelheiten PDF [English] IPD30N06S223ATMA2 PDF - EN.pdf -
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